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La Stm vuole far nascere a Catania la Silicon Carbide Valley: grazie al boom delle auto elettriche

Di Redazione

CATANIA - StMicroelectronics vuole far nascere a Catania la «Silicon Carbide Valley» per guidare l’era del post-silicio. L’azienda di semiconduttori, dal suo storico stabilimento siciliano, lancia la sfida dei dispositivi in carburo di silicio (Sic), un materiale duro come il diamante, trasparente come il vetro e oggi quaranta volte più costoso del silicio - scrive Il Sole 24 Ore - ma anche molto più performante. Soprattutto per applicazioni che riguardano la mobilità elettrica.

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A muoversi per prima è stata Tesla, che ha scelto i moduli a carburo di silicio di St per la Model 3 (l' auto elettrica più venduta nel segmento medio nei primi due mesi del 2019).

Questo ha permesso a St di accelerare gli investimenti e di avviare la produzione su volumi ampi, acquisendo sempre più competenze: tanto che oggi St è l’unica azienda di semiconduttori al mondo a produrre in volumi dispositivi in carburo di silicio conformi agli standard di qualità e affidabilità del settore automotive.

Così l’azienda ha recentemente rivisto il suo piano industriale per intensificare gli sforzi su questa tecnologia, per la quale ha già investito 250 milioni di euro, la maggior parte sul sito St di Catania che ha in portafoglio oltre 70 brevetti sul carburo di silicio. 

Tesla è il primo produttore di automobili di alta classe a integrare un modulo di alimentazione SiC completo, nel suo Modello 3. Grazie alla sua collaborazione con STMicroelectronics, l'inverter Tesla è composto da 24 moduli di potenza 1 in 1 montati su un dissipatore di calore pin-pin. Il modulo contiene due Mosfet (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) SiC con un'innovativa soluzione di fissaggio dello stampo e collegati direttamente sui terminali con clip di rame e termicamente dissipati da piastre di rame.

Il Mosfet SiC è fabbricato con l'ultimo design della tecnologia STMicroelectronics, che consente di ridurre le perdite di conduzione e le perdite di commutazione.

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